International Rectifier 的 Infineon 設計采用先進 Advanced 處理技術，可在每個硅片區域實現極低的接通電阻。此優勢結合了 ex場 效應功率式高功率器件聞名的快速開關速度和耐震設備設計、為設計人員提供了極其高效和可靠的器件、適用于各種應用。
先進的工藝技術
動態 dv/dt 額定值
快速切換
完全雪崩等級
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 16 A |
| 最大漏源電壓 | 110 V |
| 封裝類型 | D-pak 至 252AA |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.000115 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
