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onsemi NXH100B120H3Q0STG IGBT

訂 貨 號:NXH100B120H3Q0STG      品牌:意法半導體_ST

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onsemi NXH100B120H3Q0STG IGBT
產品詳細信息

NXH100B120H3Q0 是一款電源模塊,包含一個雙升壓級,由兩個 50A/1200V IGBT、兩個 20A/1200V SiC 二極管和兩個用于 IGBT 的 25A/1600V 反并聯二極管組成。包括兩個用于浪涌電流限制的附加 25A/1600V 旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。

IGBT 規(guī)格:VCE(SAT) = 1.77 V,ESW = 2180 uJ
快速 IGBT,帶低 VCE (SAT),用于提高效率
25 A/1600 V 旁通和防并聯二極管
低 VF 旁路二極管,可在旁路模式下提高出色的效率
SiC 整流器規(guī)格:VF = 1.44 V
SiC 二極管,確保高速切換
提供焊接引腳和壓配引腳選項
安裝靈活
應用
mppt 升壓級
電池充電器升壓級


屬性 數值
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 186 W
封裝類型 Q0BOOST
配置
安裝類型 表面貼裝
通道類型 N
引腳數目 22
晶體管配置 雙路
尺寸 66.2 x 32.8 x 11.9mm
暫無

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