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STMicroelectronics STGP30H65F IGBT

訂 貨 號:STGP30H65F      品牌:Tronics

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STMicroelectronics STGP30H65F IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

IGBT 分立,STMicroelectronics

IGBT 分立件和模塊,STMicroelectronics

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 60 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 600 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 260 W
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
開關(guān)速度 1MHz
晶體管配置
尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm
暫無

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