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微機電系統(tǒng)芯片現(xiàn)在可以接合切割分離后的CMOS ASIC。據(jù)VTI Technologies 的開發(fā)人員介紹, 稱之為“片上微機電系統(tǒng)”的技術(shù)在整個微機電系統(tǒng)晶圓切片之前把ASIC裸片接合在其頂上。

“片上微機電系統(tǒng)技術(shù)和傳統(tǒng)的封裝有著根本的不同”VTI 公司研究部副總裁Heikki Kuisma介紹說,；一位汽車市場上的微機電系統(tǒng)加速儀和壓力傳感器制造商說,“現(xiàn)在,即使是最后的測試和校準都是晶片級的制程”。

除了對晶片級的校準和測試有利,VTI Technologies 同時聲稱 片上微機電系統(tǒng)使制造更加薄的芯片成為可能。VTI展示了復(fù)合MEMS和ASIC測試面積只有4平方毫米但是只1毫米薄的晶片的技術(shù)。一般的微機電系統(tǒng)芯片接合ASIC 晶片的厚度在在2到5毫米。最后,VTI稱它將可以制造厚度是現(xiàn)在的芯片三分之一薄的片上微機電系統(tǒng)。

片上微機電系統(tǒng)的制程是首先測試微機電系統(tǒng)晶片；然后將超薄的ASIC裸片壓在微機電系統(tǒng)晶片的最佳位置上；之后ASIC片上滴上300微米的焊接球,這里使用的是焊接倒裝式芯片技術(shù)。

最后,使用底部填充把ASIC和MEMS分離,目的是為了鈍化和提高可靠性；最終的驗證可以在復(fù)合片上微機電系統(tǒng)設(shè)備切片前的晶圓級上進行。

在下個階段,VTI說它將關(guān)注多ASIC芯片集成在MEMS晶片上的技術(shù),這種技術(shù)擁有制造復(fù)雜電路的3D堆疊。VTI說這種技術(shù)可以利用低于3D技術(shù)的的成本,而令多個20微米厚的ASIC集成在MEMS芯片頂上,同時為了量產(chǎn)正努力改進技術(shù)。