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能源短缺的問題，除了“開源”之外，“節(jié)流”的潛力也是十分巨大的，而節(jié)流的首要措施就是功率半導(dǎo)體的發(fā)展及推廣其應(yīng)用。例如，據(jù)權(quán)威部門統(tǒng)計(jì)，我國用于電機(jī)的電能占我國總發(fā)電量的60%多。如果全國電機(jī)的驅(qū)動(dòng)都采用功率半導(dǎo)體進(jìn)行變頻調(diào)速就可以節(jié)能大約1/4到1/3，也就是說可節(jié)約全國總發(fā)電量的15%至20%。這是多么驚人的數(shù)字。

冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)等都依賴功率半導(dǎo)體變頻調(diào)速來節(jié)能并舒適化；手機(jī)是用功率半導(dǎo)體進(jìn)行電源管理。功率半導(dǎo)體還是用信息技術(shù)改進(jìn)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的擔(dān)當(dāng)者，信息電路發(fā)出的指令必須經(jīng)過功率半導(dǎo)體變成功率信號(hào)才能帶動(dòng)電機(jī)的使用。當(dāng)前，用于4C產(chǎn)業(yè)的功率半導(dǎo)體已占功率半導(dǎo)體總量的70%多。

晶閘管(在美國稱作可控硅SCR)、柵極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、雙極功率晶體管(功率BJT，曾用GTR的名稱)以及與之配套的開關(guān)速度較慢的功率二極管。這一代功率開關(guān)的共同缺點(diǎn)是柵極需要電流驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)復(fù)雜、功耗大、成本高、使用不便。它們的另一缺點(diǎn)是工作頻率低，所需要的配套電感、電容、變壓器等體積大，從而使得設(shè)備笨重，能耗高。80年代國際上功率半導(dǎo)體發(fā)展進(jìn)入一個(gè)新的階段，發(fā)展出了功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率VD-MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，立即成為功率半導(dǎo)體器件的主流，因?yàn)樗鼈兛朔艘郧暗墓β拾雽?dǎo)體器件的缺點(diǎn)。它們的柵極用電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路簡單、成本低、功耗小、易于使用。其次是它們都能在幾十千赫以上的高頻工作，可以非常顯著地降低電力電子設(shè)備的體積、重量、制造成本和能耗。

信息化和國家安全都要求我國自主發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。