發布日期：2022-07-14 點擊率：57
編程器件模仿具有有限次重復可編程能力的器件。
Sidense 1T-Fuse存儲器的存儲單元采用的是一種反融絲技術:通過施加寫入電壓可把存儲數據的絕緣層永久性地變成導電層。這就使得器件開發者可實現具有高度數據安全性的存儲器,Lipman說。離子掃描方法和掃描電子顯微鏡可以讀出浮柵單元的狀態,但無法讀出1T-Fuse單元的程序狀態。1T-Fuse不受浮柵的縮微極限的限制,不要求特殊的制造工藝。Sidense已發布了其存儲器單元的一個低功率版本,并可授權給其它公司。
標簽：適用于更低工藝節點的存儲技術 我要反饋
