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Integrated Silicon Solution (ISSI)的IS61WV6416LL和IS63WV1024LL超低功率、高速異步SRAM適合移動(dòng)和電池供電設(shè)備應(yīng)用。這兩種1M容量的SRAM分別由64K×16和128K×8結(jié)構(gòu)組成,訪問時(shí)間僅20ns,典型靜態(tài)電流4μA,工作電流15mA。

IS61WV6416LL和IS63WV1024LL工作電壓為至,正常工作溫度范圍在-40℃至85℃,數(shù)據(jù)保持電壓從至。這兩款產(chǎn)品均采用高性能的6T μm CMOS技術(shù)以及ISSI高可靠的工藝和新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)制造,性能高、功耗低,非常適用于電池供電的高速和超低功耗的應(yīng)用,如手持式掃描儀、掌上電腦、多功能蜂窩電話、機(jī)頂盒和WLAN等。

10,000片采購時(shí),1Mb的SRAM價(jià)格為美元(僅供參考)。128K×8的IS63WV1024LL有36球mBGA、32引腳TSOP2、sTSOP1和SOJ JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝,64K×16的IS61WV6416LL有48球mBGA和44引腳TSOP2 JEDEC封裝。