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Infineon MOSFET

Infineon TO-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產(chǎn)品、在 10V 柵源電壓下具有 5.3 毫歐姆的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 80V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 6V 和 10V 。它經(jīng)過(guò)優(yōu)化、可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可應(yīng)對(duì)最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用、在有限的空間內(nèi)提供完全的靈活性。它旨在滿足并超越計(jì)算應(yīng)用中經(jīng)過(guò)強(qiáng)化的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?雙面冷卻
?出色的柵極充電 x R DS （開）產(chǎn)品（ FOM ）
? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb) 電鍍
?寄生電感低
?薄型（< 0 、 7mm ）
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?優(yōu)化的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器技術(shù)
?優(yōu)異的熱阻
?電阻極低

應(yīng)用

?交流 - 直流
?適配器
?直流 - 直流
? LED
? 電動(dòng)機(jī)控制
? PC 電源
?服務(wù)器電源
? SMPS
? 太陽(yáng)能
? 電信

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC