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Infineon BSZ0904NSIATMA1 MOSFET

訂 貨 號：BSZ0904NSIATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Infineon BSZ0904NSIATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強(qiáng)模式
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色封裝（無鉛）
超低 Rds(on)

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 40 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 TSDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 5.7 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 37 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 8.5 nC @ 4.5
長度 3.4mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 3.4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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