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Infineon IPD60R1K4C6ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IPD60R1K4C6ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
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Infineon IPD60R1K4C6ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.2 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 1.4 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 28.4 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
典型柵極電荷@Vgs 9.4 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 6.73mm
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 6.22mm
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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