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Texas Instruments CSD17556Q5B MOSFET

訂 貨 號(hào):CSD17556Q5B      品牌:德州儀器_Texas Instruments

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
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Texas Instruments CSD17556Q5B MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 215 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 VSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 1.8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.65V
最小柵閾值電壓 1.15V
最大功率耗散 3.1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 5.1mm
晶體管材料 Si
長度 6.1mm
典型柵極電荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無
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