在线免费观看激情视频,91精品久久久久久久久久入口,99re6在线视频精品免费

分類：

當前位置：首頁 > 工業(yè)電子產品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

英飛凌 IPP028N08N3GXKSA1 MOSFET

訂貨號：IPP028N08N3GXKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場價：￥0.00 品牌商：￥0.00

暫無報價

立即購買加入購物車立即詢價

公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電話：
手機：
地址：
通訊：

主營產品：

店鋪主頁

您還不是會員，無法查看相關信息

去登錄

替代產品
關聯(lián)產品

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS? 產品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產品經的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節(jié)標準的能效和功率密度要求。

快速切換 MOSFET，用于 SMPS
優(yōu)化技術，用于直流/直流轉換器
符合目標應用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道，邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產品 (FOM)
極低導通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	100 A
最大漏源電壓	80 V
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
引腳數目	3
最大漏源電阻值	4.2 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	3.5V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	300 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數目	1
寬度	4.57mm
典型柵極電荷@Vgs	155 nC
晶體管材料	Si
長度	10.36mm
最高工作溫度	+175 °C

暫無

正在載入評論詳細...

日韩成人激情_欧美黑人xxx_国产一区二精品区在线_精品在线一区_97成人资源_久久久久久一区

工業(yè)電氣產品

工業(yè)控制產品

傳感測量產品

儀表工具產品

工業(yè)電子產品

機械設備產品

英飛凌 IPP028N08N3GXKSA1 MOSFET

公司基本資料信息

推薦商品

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

MOSFET 晶體管，Infineon

新手指南

業(yè)務合作

物流配送

支付方式

售后服務

關于我們