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英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固體碳化硅技術(shù)，利用寬帶隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨(dú)特組合，適用于在高溫和惡劣環(huán)境中操作，可實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率的簡(jiǎn)化和具有成本效益的部署。

更高電流時(shí)的優(yōu)化切換行為,
切換堅(jiān)固的快速主體二極管,具有低 Qf,
卓越的
柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
增強(qiáng)的浪涌能力,
與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器兼
容,Kelvin 源提供高達(dá) 4 倍低的切換損耗