DiodesZetex n 通道增強模式 mosfet 設計用于有效減少通態電阻（ rds （接通）
低接通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 407 毫安 |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | X1-DFN1006-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 晶體管材料 | 塑料 |
