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the Infineon coolmos ? P7 超結(jié)（ sj ） mosfet 設(shè)計(jì)可提供出色的性能和易用性，從而改善外形和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，從而應(yīng)對(duì)低功率開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)的典型挑戰(zhàn)。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對(duì)一嵌入式 dak 替代產(chǎn)品、還可在某些設(shè)計(jì)中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使采用了第 223-223 封裝的 coolmos ? P7 特別適用于其目標(biāo)應(yīng)用。

啟用較低的 mosfet 芯片溫度
與以前的技術(shù)相比、效率更高
允許改進(jìn)外形和細(xì)長(zhǎng)型設(shè)計(jì)