DiodesZetex 生產的雙 N 溝道 MOSFET，旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。具有切換速度快和輸入/輸出泄漏低的特點。超小型表面貼裝，高達 2KV 的 ESD 保護。
超低導通電阻 柵極閾值電壓低 輸入電容低
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 350 mA |
| 最大漏源電壓 | 50 V |
| 封裝類型 | SOT563 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 4.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵源電壓 | 1.5 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
