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DiodesZetex 生產(chǎn)的雙 N 溝道增強模式 MOSFET,旨在最大限度地減小導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) ,同時保持卓越的開關(guān)性能,是高效電源管理應(yīng)用的理想之選。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 U-DFN1212-3 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關(guān),確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應(yīng)用
最大漏極-源極電壓 20 V 最大柵極-源極電壓 ±8 V 超小封裝尺寸 輸入/輸出泄漏低
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 1.7 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | U-DFN1212-3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.5 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 0.95V |