DiodesZetex 生產的新一代 N 溝道增強模式 MOSFET，旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關，確保更加可靠而穩健的終端應用封裝尺寸小于 1.1 mm，非常適合于薄型應用。
最大漏極-源極電壓 40 V 最大柵極-源極電壓 ±20 V 封裝的散熱效率高，非常適合低溫應用 輸入電容低
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0028 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
