Infineon 600V cool mos P7 超結 mosfet 可在設計過程中繼續兼顧高效率和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos 7th 發電平臺固有的低柵極電荷（ qg ）可確保其高效率。
它具有堅固的主體二極管
集成式設計可降低 mosfet 振蕩靈敏度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.28. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
