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Nexperia PMV100ENEAR MOSFET

訂 貨 號(hào):PMV100ENEAR      品牌:PMV

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Nexperia PMV100ENEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

30 V,N 溝道 Trench MOSFET,N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT23, TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 118 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 4.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
每片芯片元件數(shù)目 3
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 3.6 nc @ 10 v
長(zhǎng)度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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