Vishay SI7956DP 是雙 N 通道 MOSFET ，具有 150V 的漏極到源 (VDS) 電壓。 柵極到源電壓 (VGS) 為 20V。它采用 Power PAK SO-8 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10 VGS 時為 0.105 歐姆， 6 VGS 時為 0.115 歐姆。最大漏極電流 4.1A。
Trench FET 功率 MOSFET
低接通電阻，采用新的低熱阻功率 PAK 封裝
雙 MOSFET ，可節省空間
經過 100 % Rg 測試
