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Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):F411MR12W2M1B76BOMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon IGBT 模塊 FET 類型為 4 個(gè) N 通道(半橋),可在 1200V 漏源電壓和 100A 連續(xù)漏極電流下工作。

底盤安裝
-40°C 至 150°C 工作溫度


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 AG-EASY1B-2
安裝類型 螺絲安裝
最大漏源電阻值 0.0113 Ω
最大柵閾值電壓 5.55V
晶體管材料 SiC
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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