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Infineon IPI80P04P4L06AKSA1 MOSFET

訂 貨 號：IPI80P04P4L06AKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

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Infineon IPI80P04P4L06AKSA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能，以滿足高質量性能要求。功能包括超低開關損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC，電機控制，汽車和eMobility。

增強模式
耐雪崩等級
低切換和傳導功率損耗
無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
標準封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 I2PAK (TO-262)
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 10.8 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 88 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 1
長度 10mm
典型柵極電荷@Vgs 80 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
寬度 4.4mm
暫無
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