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Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT

訂 貨 號：FP50R12KE3BOSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT
產(chǎn)品詳細信息

Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V，全部功耗為 280 W，最大柵極閾值電壓為 6.5 V。

內(nèi)部隔離基本絕緣（1 類，IEC 61140）
柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.30 V
柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 75 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 280 W
晶體管數(shù) 7
暫無
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