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類型分類:
科普知識
數據分類:
IGBT器件

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%

發布日期:2022-07-24 點擊率:61

產品特點:

  • 柵極電荷(Qg)顯著減少,具有更快的開關性能

  • 與競爭方案相比,總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多

應用市場:

  • 電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8技術,與競爭解決方案相比,總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%
Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%

美高森美新的分立元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨提供,或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二極管組合封裝提供,以便簡化產品開發和制造。其它特性包括:

? 相比競爭產品,柵極電荷(Qg)顯著減少,具有更快的開關性能;
? 硬開關運行頻率大于80 KHz,實現更高效的功率轉換;
? 易于并聯(Vcesat的正溫度系數),提升大功率應用的可靠性;以及
? 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的應用中實現可靠運作

APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝,APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝,APT40GR120B2D30則是T-MAX? 封裝器件,包含了一個30A反并聯超快恢復二極管,采用美高森美的專有“DQ”系列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術制造。

供貨

美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產品已具有以上全部待征并已量產,可通過當地分銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。

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