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類型分類:
科普知識
數(shù)據(jù)分類:
MOSFET

TI的FemtoFET功率 MOSFET 減少PCB體積

發(fā)布日期:2022-10-09 點擊率:67


《星際迷航》如何預(yù)測未來的技術(shù)進步繼續(xù)讓我感到驚訝。《星際迷航:原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時似乎是一個奇跡。然而,它又大又笨重,而且在幾集中,通訊器丟失或停止工作,這使得傳送回船上是不可能的。

到 1979 年《星際迷航:電影》上映時,詹姆斯·T·柯克上尉和他的工作人員將通訊器戴在手腕上,這樣至少他們不會丟失通訊器。直到《星際迷航:下一代船長讓-盧克·皮卡德將通訊器戴在胸前,可穿戴通訊器既是重要的裝備,也是時尚配飾。

那么星際艦隊司令部對通信器功能的設(shè)計重點是什么?我猜想減小尺寸、延長電池壽命和輕松為設(shè)備充電的能力。我從未見過中尉。Geordi La Forge 在船上尋找他丟失的電源線。

德州儀器 (TI) 擁有一系列稱為 FemtoFET 的功率 MOSFET,可滿足 Starfleet Command 的通信器設(shè)計要求。這些微型器件的機身尺寸為 0.6 毫米 x 1.0 毫米,仍可承載 2-3A 電流,并具有業(yè)內(nèi)最小的電阻 x 尺寸。

●這款99mΩ、30V N溝道FemtoFET?MOSFET的設(shè)計經(jīng)過了優(yōu)化,能夠最大限度地減小許多手持式和移動類應(yīng)用的 尺寸。這項技術(shù)能夠在替代標準小信號MOSFET的同時將封裝尺寸減小至少60%。
■特性
●低導(dǎo)通電阻
●超低 Q-g和 Q-gd
●低閾值電壓
●超小型封裝尺寸(0402外殼尺寸)
★1.0mm× 0.6mm
●超薄
★高度為0.2mm
●集成(ESD保護二極管
★額定值 > 4kV HBM
★額定值 > 2kV CDM
●無鉛且無鹵素
●符合 RoHS標準

該設(shè)備的高度可以低至 0.2 毫米(參見圖 1 和圖 2)。


圖 1:CSD17484F4 和 CSD25484F4 的機械尺寸。

由于封裝如此之小,表面貼裝技術(shù) (SMT) 組裝設(shè)備處理器件引腳間距的能力至關(guān)重要。FemtoFET 器件保持 0.35mm 的間距,這是最先進的 SMT 設(shè)備的工藝能力限制。

 

圖 2:N 通道 FemtoFET 的功能圖。

對于可穿戴產(chǎn)品,電池的尺寸和容量可以非常小。為了延長電池壽命,低泄漏電流是關(guān)鍵。FemtoFET 擁有通常在個位數(shù)納安范圍內(nèi)的漏極和柵極泄漏電流。

隨著針對新興 USB Type-C 供電標準的產(chǎn)品開發(fā),快速充電應(yīng)用增加了對通過某些電路路徑的更高電流的需求。無線充電還可以通過功率 MOSFET 泵送更高的電流,并且由于其先進的金屬化和封裝,F(xiàn)emtoFET 可以處理高達 3A 的電流。

體積如此之小的設(shè)備,一個關(guān)鍵的考慮點是如何使用表面裝配技術(shù)(SMT)將FemtoFET與面板連接。設(shè)備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設(shè)備能否處理組合產(chǎn)品的關(guān)鍵因素。大多數(shù)的高容量個人電子產(chǎn)品制造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設(shè)備,但部分工業(yè)用客戶的SMT設(shè)備最小焊盤距離僅能到0.5mm。

FemtoFET的連接盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝與硅芯片級封裝(CSP)相似,唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產(chǎn)品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產(chǎn)品的F4客戶更強的信心,即他們的SMT設(shè)備可處理F3 FemtoFET。

為了使FemtoFET能應(yīng)用到工業(yè)用設(shè)備,TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產(chǎn)品,并將電壓范圍擴充至60V。

TI推薦使用無鉛(SnAgCu)SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏,但體積更小的第四類焊錫膏則是更優(yōu)選擇。焊膏應(yīng)免清洗,且可溶于水。不過,在面板安裝之后用焊劑進行清洗仍不失為是個絕妙主意。

使用面板模子在面板上標出將施加焊錫膏的點位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數(shù)。

除了手機,低漏電型FemtoFET 還可以在手表通訊器、可穿戴健身監(jiān)視器、可穿戴相機、血糖儀、珠寶,甚至可植入人體的設(shè)備中找到。由于柵極漏電和漏極漏電的單位數(shù)僅為納米安培級,F(xiàn)emtoFET可協(xié)助保證我們的個人電子設(shè)備的充電電池可支撐使用一整天。

這些 FemtoFET 將繼續(xù)大膽地走向以前沒有 FET 的地方。我們可以打賭,帶有 FemtoFET 的通信器不會讓我們被困在 Romulus 上。






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