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你們了解過場效應(yīng)管開關(guān)電路嗎?該電路一般分為兩種，一種是N溝道，另一種是P溝道，如果你的電路設(shè)計中要應(yīng)用到高端驅(qū)動的話，可以采用PMOS來導(dǎo)通，感興趣的話就隨小編一起來了解下P溝道和N溝道MOS管開關(guān)電路圖吧!

Mos管關(guān)電路圖

MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。

1、P溝道MOS管開關(guān)電路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對于地的電壓。但是因為PMOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

2、N溝道m(xù)os管開關(guān)電路

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓大于參數(shù)手冊中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動時候，當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通時，漏極D與源極S電勢相等，那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續(xù)導(dǎo)通。

以上就是關(guān)于場效應(yīng)管開關(guān)電路的相關(guān)介紹,高端驅(qū)動一般應(yīng)用的是PMOS的特性，而低端驅(qū)動一般應(yīng)用于NMOS的特性，測量的是柵極G與源極S的壓差。