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直尺

Vishay發(fā)布4通道CMOS模擬復(fù)用器DG508B/9B

發(fā)布日期:2022-07-14 點(diǎn)擊率:25

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款為數(shù)據(jù)采集、工業(yè)過程控制、測(cè)試和測(cè)量以及醫(yī)療系統(tǒng)里的±15V高精度、低噪聲信號(hào)開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的復(fù)用器——8通道的DG508B和4通道的DG509B。


Vishay發(fā)布4通道CMOS模擬復(fù)用器


8通道的DG508B和4通道的DG509B采用獨(dú)特的設(shè)計(jì),非常適用于模數(shù)轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡(luò)的模擬前端中的高精度復(fù)用,這種應(yīng)用中需要更快和更精確的數(shù)據(jù)采集性能。DG508B和DG509B CMOS將最大電壓等級(jí)提升到44V,具有軌到軌模擬輸出能力,可以在雙電源或單電源配置下工作。


器件采用增強(qiáng)的SG-II CMOS工藝制造,在處理寬擺幅的模擬信號(hào)時(shí),通道的典型關(guān)斷泄漏電流小于3pA。源關(guān)閉時(shí)的寄生電容僅為3pF,電荷注入小于2pC,從而實(shí)現(xiàn)了精確、低電涌的開關(guān)性能。


器件具有超低功耗,可保證在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的最大電流不大于600 μA,這要比市場(chǎng)上其他最好的器件還要低60%,這使得DG508B和DG509B能夠勝任便攜式、電池供電的應(yīng)用。


增強(qiáng)的SG-II CMOS工藝也使得新器件在大于200MHz的帶寬下的衰減只有-3dB,在100MHz時(shí)的串?dāng)_合關(guān)閉隔離達(dá)到-40dB,這使得DG508B和DG509B可勝任包括視頻在內(nèi)的各種各樣模擬信號(hào)應(yīng)用。


DG508B和DG509B的導(dǎo)通通道能夠在兩個(gè)方向上都同樣良好地導(dǎo)電,每個(gè)通道在關(guān)閉狀態(tài)下能夠阻斷和電源軌一樣高的電壓。復(fù)用器具有使能功能,在遇到多個(gè)堆疊的器件時(shí),能夠把所有開關(guān)復(fù)位至關(guān)閉狀態(tài)。器件的其他特性還包括與TTL兼容的邏輯和先開后合的開關(guān)動(dòng)作,能夠保護(hù)器件免受相鄰?fù)ǖ篱g瞬時(shí)串?dāng)_的影響。


DG508B和DG509B均提供16腳的SOIC和TSSOP封裝,可在- 40℃~+125℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)工作。器件采用無鉛端子,符合RoHS指令和IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。


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