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固態繼電器。過零和瞬時兩種導通方式似乎更適用于特定應用領域。但通常情況下，對于應該選用的導通方式并沒有絕對的規定。如果負載要求比例控制每半個周期（比如白熾燈調光和熱量低溫度控制）時，則瞬間啟動式固態繼電器必須被選用。但對于高負荷熱量而言，具有整周期運作的過零式固態繼電器是通常溫度控制的首選。對于感性負載，通常建議選用過零導通繼電器。但對于不同的應用和功率因數，瞬時導通繼電器可能會更適合感性負載電路。雖然沒有標準規定，但一般瞬時導通繼電器是控制感性負載的首選。

固態繼電器的關鍵要素
如前所述，控制繼電器輸出的方法有多種，但其中關鍵字在于“繼電器輸出”。大多數情況下，快達采用反并聯可控硅交流輸出固態繼電器輸出元件。與雙向可控硅輸出相比，反并聯可控硅的配置擁有相關的性能優勢。主要在于 dv/dt，當雙向可控硅正在換向關閉時，其 dv/dt受到嚴重的限制。通常，雙向可控硅的換向 dv/dt 介于 5 至 10 V/ms。而反并聯可控硅不受這種限制，也沒有換向 dv/dt的相關變化范圍， 僅有一個大于 500V/ms 的臨界值。 此外，與用一個元件（雙向可控硅）相比，兩個元件（反并聯可控硅）與陶瓷絕緣層的接觸面積更大，更易于散熱。

作為一種熱導體，用于隔離固態繼電器底板的氧化鋁陶瓷基板，有其局限性。由于陶瓷基板不能橫向有效的導熱，熱電源不得不采用兩種元素，使更大面積的基板可以用來導熱，并使熱量垂直通過陶瓷。此外，繼電器本身還附加了兩個可控硅，其銅引線框架更有助于陶瓷基板大面積散熱。從可控硅芯片到繼電器底板，雖然大量采用銅引線框架散熱，但陶瓷基板是熱阻抗的主要來源，其中50% 將成為繼電器的總熱阻抗。如果繼電器具有浪涌電流，反并聯可控硅則是首先。因為就傳熱和導電而言每個元素是獨立分開的。但這種情形并不包括單元素雙向可控硅輸出。

采用可控硅作為固態繼電器的輸出元素并非一個簡單的決定。當制造商決定可控硅的大小和類型時，成本將會是主要顧慮。繼電器的輸出硅是繼電器的主要組成部分。雖然控制電路決定啟動和停止功能，但這一性能的關鍵是輸出硅開關。雖然較小的可控硅芯片可降低成本，但這也會導致低性能 - 浪涌（或過載）電流減少，功耗和熱阻抗增加。也許減少硅片厚度可能略微增加浪涌電流，且減少正向電壓降和功耗，但采用更薄的硅片并非簡單解決方案。由于晶圓破損和阻斷電壓的降低，可控硅芯片制造商會受到損失，從而使成本增加。此外，可控硅芯片的阻斷電壓可能會更低，使固態繼電器最后更容易造成瞬間過壓損壞，尤其是硅片厚度減少到能夠沖穿崩潰但又不是雪崩擊穿的時候。如果可控硅太敏感，那么在發生沖穿崩潰的時候，任何過電壓都將損壞可控硅。如果發生雪崩擊穿，可控硅將會誤觸發，并在余下的半個周期內導通，最后恢復到正常狀態，不受損壞。

如果更薄的可控硅芯片具有缺陷，或許較厚的型號應該予以考慮。厚芯片一般對于過壓瞬變更堅固，并具有較高的阻斷電壓額定值。正向電壓降會更高，而導致較高的功率消耗，降低浪涌電流能力。對于硅芯片制造商來說，由于較少的晶圓破損和使用較高的電壓，其硅芯片的整體產量會更高。

結論
為了在最大化性能的同時，使用更加經濟的可控硅元件，固態繼電器制造商和他們功率半導體元件的供應商正在不斷地共同努力。