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NXP 恩智浦A2G26H281-04S 2496-2690 MHz, 50 W Avg, 48 V GaN Data Sheet

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NXP 恩智浦A2G26H281-04S 2496-2690 MHz, 50 W Avg, 48 V GaN Data Sheet
A2G26H281--04SR3 1 RF Device Data NXP Semiconductors RF Power GaN Transistor This 50 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor
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